Siliconized Graphite kumpara sa Sic

Ang materyal sa Carbon Graphite adunay masulub-on nga lubi, taas nga mekanikal nga kusog, pag-ayo sa pag-friction, taas nga pag-undang sa temperatura, kemikal, petrolyo, pumps ug uban pang mga kapatagan. Ang mga materyal nga grapiko sa grapiko dili kaayo maayo sa mga termino sa pagsabwag sa pagsukol ug pagsukol sa grapiko, ingon nga mga kabtangan sa Carbon Engineering ug Silicon Carbide, ug gigamit sa usa ka halapad nga mga aplikasyon.

Unsa ang grapiko nga kuta?

Ang Siliconized Graphite usa ka composite nga materyal nga gilangkuban sa usa ka layer sa Silicon Carbide nga adunay sapaw sa sulud sa materyal nga grapiko. Ang Silicon Carbide Layer gibag-on sa 1 ~ 1.5mm, silikon nga layer sa carbide ug graphite matrix. Ang katig-a sa graphite nga sinicyon sa tinuud nga katig-a sa SIC, nga ikaduha ra sa Diamond, Boron Nitride, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide, Boron Carbide

Ang graphite nga sipa nga grapiko dili lamang ang paglapas sa kaugalingon nga mga materyales sa carbon, maayo nga pagbatok sa elektrikal ug thermal nga pagsukol sa kusog nga kusog, apan ang pagsukol sa pag-oxosation, ang pagsukol sa pag-oxosation sa Silicon Carbide, ug labi ka angay alang sa bug-at nga mga lulan, taas nga temperatura, ug uban pang gipangayo nga mga okasyon, mao nga ang mga graphite nga mga materyales sa Shiquite labi ka gigamit sa natad sa pagbugkos, pagkaguba, industriya sa kemikal ug aerospace ug aerospace ug aerospace ug aerospace ug aerospace ug aerospace ug aerospace ug aerospacy ug aerospace ug aerospace ug aerospacy ug aerospacy ug aerospacy ug aerospaching industriya.

Pagpangandam sa graphite nga siniilya

Adunay tulo nga mga nag-unang pamaagi sa produksiyon sa graphicite scemical kemikal nga pag-deposisyon sa singaw (CVD), reaksyon sa singaw sa kemikal nga reaksyon sa CVR.

1. Paagi sa Deposition sa Chemical Vapor (CVD))

Ang gas nga adunay silicon ug carbon agi sa taas nga temperatura nga graphite substrate thermal decomposition, pagmugna sa SIC nga gideposito sa nawong sa graphite substrate. Hilaw nga materyales alang sa Trichloromethylslne (CH3SIC3), Silicon Tetrachloride, Hydrogen, Silicon Sapor ug uban pa. Ang range sa temperatura sa deposisyon lapad, gikan sa 1175 ℃ hangtod 1775 ℃. Si Sic Layer nga gihimo sa kini nga pamaagi labi ka sikat, uniporme nga gibag-on, ang kinatibuk-ang gibag-on sa mga 0.1 ~ 0.3 mm, apan ang kombinasyon sa puro nga gapos sa mekanikal, ang puro nga puwersa nga huyang, ang kusog nga pagbag-o sa pag-usab sa temperatura Ang layer dali nga pag-crack, pagtusok.

2. Paagi sa Phase sa Kalihokan sa kemikal nga Phase (CVR)

Mga hilaw nga materyales alang sa coke powder ug sobra nga quartz balas o amorphous silica powder, kung mainitan ang 2000 ℃ ene sa henerasyon sa SIO VAPOR, SIO SUPOR AND ALFORD ADVICE aron makamugna si Sic. Si Sic Layer ug Carbon Subtrate Duha Wala'y Maayong Interface, Kusog ang bugkos, sa kaso sa kalit nga mga pagbag-o sa temperatura ug ang taas nga pag-undang sa CVR nga pag-undang sa carbon substrate aron ipatuman ang reaksyon , mao nga magpadayon gihapon ang porous nga kinaiya sa carbon substrate. Bisan pa, ang pamaagi sa CVR mao ang reaksyon sa SIO gas infiltration sa Carbon Matrix, busa, nagpabilin gihapon ang porous nga kinaiya sa carbon matrix, kung gamiton ang usa ka sealing nga impregnation o pamaagi sa pagbugkos aron pun-on ang mga pores .

3. Ang Permeation sa Silicon

Kini nga pamaagi iya usab sa usa ka klase nga cVR. Ubos sa mga kahimtang sa vacuum, gipainit sa 1700-1900 ℃, ang carbon subster nga direktang natuslob sa tinunaw nga silikon nga likido, ang likido nga silicon anam-anam nga nakasulod sa carbon substrate, ang reaksyon nahitabo sa SIC. 99.9999% sa hilaw nga materyal alang sa purong Silicon. Si Sic Layer gibag-on hangtod sa 3.5 mm. Pagkahuman sa reaksyon, ang Carbon Substrate naglangkob sa mga 17% sa libre nga silicon aron pun-on ang sukaranan sa lungag, aron ang substrate nahimo nga siksik ug dili masulbad. Bisan pa, ang presensya sa libre nga silicon nagpakunhod sa pagsukol sa corrosion ug taas nga temperatura nga oksihenasyon sa oksihenasyon sa Silicified Graph.

Kalainan tali sa silikonized graphite ug sic

1.Silizized graphite (Siliconized Graphite) usa ka composite nga materyal nga gilangkuban sa usa ka layer sa Silicon Carbide nga adunay sapaw sa sulud sa materyal nga grapiko. Ang Siliconized Graphite Hardness mao ang SIC Tig-ASSENT, ikaduha ra sa Diamond, Boron Nitride, Boron Carbide, Tungsten Carbide, Aluminum Oxide ug uban pang taas nga katig-a. Ang grapiko nga sini nga grapiko mahimong gamiton ingon phosphoric acid, posporus Amine ug Hydrofluoric pump bearings. Gawas pa, ang industriya sa semiconductor, ingon silicon epitaxial nga pagtubo sa heat sheet substrate ug fullture ug ang paghimo sa artipisyal nga mga salamangkero, artipisyal nga mga ugat sa ngipon.

2.Silicon Carbide (SIC) gihimo sa mga quartz balas, petroleum coke (o karbon sa karbon), ang mga chiper sa kahoy (uban pang mga hilaw nga materyales sa pagbuto sa temperatura pinaagi sa taas nga temperatura nga resistensya sa resistensya. Ang Silicon carbide usab anaa sa kinaiyahan ingon ang talagsaon nga mineral, Moissanite. Ang Silicon Carbide nailhan usab nga Carbon Silica. Sa Contemporary C, N, B ug uban pang mga dili-toch Thot Thim Tech Refractory Raw Materials, Silicon Carbide alang sa labing kaylap nga gigamit, ang labing ekonomikanhon, mahimong tawgon nga balas nga bulawan o refractory nga balas. Sa pagkakaron, ang industriya sa industriya sa China sa Silicon Carbide gibahin sa Itom nga Silicon Carbide ug Green Silicon Carbide Duha ka mga klase, adunay piho nga grabidad sa 3, 20 ~ 3, 3320KG / MMOHARD / 3320KG / MICRATED / MICRATED / 3320KG / 3320KG / MICRARDG / 3320KG / MICRARDG / 3320KG / MIVEKOG / MICRATEGG / MICRARDG / 3320KG / MMOHARDG / 3320KG / MMOHARKG / 3320KL

Unsa man ang grapiko nga siloog ug unsang mga industriya ang gigamit niini?

Ang Siliconized Graphite usa ka composite nga materyal nga gilangkuban sa usa ka layer sa Silicon Carbide nga adunay sapaw sa sulud sa materyal nga grapiko. Ang katig-a sa graphite nga eskolar mao ang katig-a sa SIC, nga ikaduha ra sa Diamond, Boron Nitride, Boron Carbide ug Tapa sa Tungsente nga Trioxide ug Aluminum Trisoxide. Ang graphite nga silo nga magamit ingon phosphoric acid, phosphoric acid ug hydrofluoric acid pump bearings. Gawas pa, ang industriya sa semiconductor, ingon silicon epitaxial nga pagtubo sa heat sheet substrate ug fullture ug ang paghimo sa artipisyal nga mga salamangkero, artipisyal nga mga ugat sa ngipon. Ang Silicon Carbide gihimo gikan sa Quartez Sand, Petroleum Coke (o Coal Coke), ang mga chipe sa kahoy (asin gidugang aron makahimo og smelta nga silicon sa kahoy. Ang Silicon carbide usab anaa sa kinaiyahan ingon usa ka talagsaon nga mineral, Moissanite. Ang Silicon Carbide nailhan usab nga Carbon Silica. Sa Contemporary C, N, B ug uban pang mga dili-toch Thot Thim Tech Refractory Raw Materials, Silicon Carbide alang sa labing kaylap nga gigamit, ang labing ekonomikanhon, mahimong tawgon nga balas nga bulawan o refractory nga balas. Sa pagkakaron, ang industriya sa industriya sa China sa Silicon Carbide gibahin sa duha nga mga matang sa itom nga silicon carbide, mga hexagonal nga carbide, piho nga grabidad sa 3, 20 ~ 3, 3320kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm20kg / mm3.

Ang grapiko nga kuta nga grapiko ingon usa ka klase nga silicon carbide nga gipalig-on ang mga tipo sa grapiko nga nagpalig-on, apan adunay taas nga resistensya sa Siliconating sa grapiko, thermal condicity ug low coefficient sa Ang pagpalapad sa thermal, nga mahimong magamit sa mga mekanikal nga mga patik ug uban pang mga bahin sa kataas nga katukma.

Ang pagtapos sa sealing nga pag-atubang sa mekanikal nga timbre gilangkuban sa rotating dinamikong singsing nga gi-install sa shaft ug ang static nga singsing sa sulud, nga adunay sulud nga sungkod nga adunay maayo nga pagsukol, nga adunay sulud nga sungkod, nga pag-ayo sa friction, pag-undang sa pagkubkob, kataas nga thermal conductian, ug lig-on nga pasundayag sa seismic, ug ang kolor sa solicidya mahimo'g tukma nga makab-ot kini nga mga kinahanglanon. Gisukat kini, kung ang kantidad sa PV (pagpamugos sa pagbugkos ug katulin sa produkto) hangtod sa 147mpa-M / S, Carbide Steel Stress Cracks, ug Graphing Steel Steal Stress Cracks, ug Graphing Steel Steal Spy Spieged Spieging Singgan Seired Seaying Singays ug P27MPA- m / s nga wala'y kadaut. Gawas pa mahimo usab nga magamit alang sa mga pump sa pagpanalipod ug high-powered diesel engine Seals Seals ug uban pang mga patik. Ang graphite nga silo nga magamit ingon phosphoric acid, phosphoric acid ug hydrofluoric acid pump bearings. Dugang pa, ang industriya sa semiconductor, ingon silicon epitaxial nga pagtubo sa pagpainit sa plate substrate ug pag-ayo ug ang paghimo sa mga artipisyal nga mga lutahan, artipisyal nga mga ugat sa ngipon, ug uban pa.

Pun-a ang among mubo nga porma sa pagpangutana karon aron makasulti direkta sa usa sa among nasinati nga mga inhenyero sa aplikasyon.